11月5日，上海电驱动携手安世半导体亮相第四届中国国际进口博览会，
展位位于本届中国国际进口博览会 4.1 馆（展位号是 4.1A3-002）。

本次进博会展台
本次进博会展出上海电驱动与安世半导体联合研制的新能源汽车氮化镓功率组件及电机控制器，作为中国首款满足量产级的氮化镓（GaN）电机控制器，率先采用安世半导体的车规级CCPAK顶部散热的器件（参考下图）：

该GaN器件具有以下特点：

基于传统硅基工艺生产 – 过程简单、产能充足
共源共栅结构 – 高电子迁移率、高效、易于驱动
鲁棒性与可靠性 - Vds瞬时耐压能力、AEC Q101认证
封装技术 - 铜夹带CCPAK、超低寄生电感、支持顶部及底部散热
功率组件作为明星部件独立展出，采用四并联方案，可搭载不同型号的GaN器件，输出相电流范围可覆盖160Arms – 240Arms。本次展出的氮化镓电机控制器性能参数如下：
工作电压范围：240 - 420VDC
***大输出功率：35kW
峰值输出电流：165Arms
峰值效率：99.34%
液冷散热、高功率密度、NVH性能优良，功率覆盖A00/A0级EV

氮化镓控制器功率组件

同时，上海电驱动的三合一电驱动总成（如下图）也在安世半导体的展台展出，因其超高的效率，备受青睐。在相同的工况下，对比传统的硅基IGBT
电机控制器，其效率提升非常明显，请参考下表格及下图MAP：

氮化镓驱动电机系统（三合一）

基于氮化镓的电机控制器***高效率可到99.34%，效率大于90%的面积占比为93.58%；基于硅基IGBT的电机控制器***高效率可到98.3%，效率大于90%的面积占比为83.94%；
11月5日上午上海市常务副市长吴清等领导莅临展台参观。在新能源汽车快速发展的时代，上海电驱动会继续坚持把研发放在企业发展的首要地位，将科技创新作为企业发展的重点，为我国新能源汽车发展贡献力量。
科创上海，引领时代，用电驱动，美好未来！

上图为上海市常务副市长吴清驻足展台，了解GaN功率组件的优势